確實，美國正在積極推動其半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展，并計劃建設(shè)先進(jìn)的晶圓廠。根據(jù)最新的消息，美國半導(dǎo)體公司 GlobalFoundries (GF) 已獲得美國政府的批準(zhǔn)，將在紐約州阿爾巴尼 (Albany, New York) 建設(shè)一座先進(jìn)的 2 納米晶圓廠。
這一項目是“芯片與科學(xué)法案”（CHIPS and Science Act）的一部分，該法案旨在加強(qiáng)美國的半導(dǎo)體研發(fā)和制造能力，減少對外國供應(yīng)鏈的依賴。
以下是一些關(guān)于這個項目的關(guān)鍵信息：
"公司:" GlobalFoundries (GF) "地點:" 紐約州阿爾巴尼 "工藝節(jié)點:" 2 納米 "投資:" 據(jù)報道，該項目將耗資數(shù)百億美元。 "意義:" 這將是美國本土建設(shè)的第一座先進(jìn)的 2 納米晶圓廠，標(biāo)志著美國半導(dǎo)體制造業(yè)的重大突破，并將增強(qiáng)其全球競爭力。
除了 GlobalFoundries 之外，其他美國公司如臺積電 (TSMC) 和英特爾 (Intel) 也都在美國計劃建設(shè)先進(jìn)的晶圓廠。
"這個項目的意義在于："
"提升美國競爭力:" 先進(jìn)的晶圓廠是制造高性能芯片的關(guān)鍵，這將幫助美國公司在全球半導(dǎo)體市場中保持領(lǐng)先地位。 "創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會:" 建設(shè)和運(yùn)營晶圓廠將創(chuàng)造大量的高薪就業(yè)機(jī)會。 "

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來源 ：內(nèi)容 編譯自 etnews 。

除了臺積電之外，隨著韓國巨頭三星恢復(fù)對其泰勒工廠的投資，該公司顯然也在大力推動美國制造業(yè)的發(fā)展。

鑒于過去幾個季度三星的代工業(yè)務(wù)低迷，其在美國的投資也一直很少，因此其在美國的計劃也隨之調(diào)整。然而，隨著特朗普政府大力推崇“美國制造”的理念，以及美國客戶對三星2納米工藝的興趣，據(jù)ETNews報道，這家韓國巨頭已恢復(fù)對其泰勒工廠的投資。這將包括人員部署、新代工設(shè)備的整合，以及更重要的是，為2納米工藝的生產(chǎn)做準(zhǔn)備。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士31日透露，三星電子計劃從9月開始部署人員，在泰勒工廠建立代工生產(chǎn)線。工程師將分兩批部署，分別在9月和11月。此外，已確認(rèn)正在訂購代工生產(chǎn)線建設(shè)所需的設(shè)備。

多位知情人士表示：“我們已經(jīng)完成人員選拔流程，計劃在9月和11月部署人員。許多合作伙伴已經(jīng)宣布了設(shè)備訂單，目前正在準(zhǔn)備中?！?據(jù)報道，

三星電子還任命了泰勒代工廠的新負(fù)責(zé)人。此前，泰勒工廠由奧斯汀代工廠負(fù)責(zé)管理，但隨著泰勒工廠的運(yùn)營全面展開，似乎內(nèi)部已經(jīng)任命了一位新負(fù)責(zé)人。

大約一年前，三星電子恢復(fù)了對泰勒工廠的投資。三星決定于2021年投資泰勒工廠，并開始建設(shè)。三星電子先行建設(shè)廠房，為投產(chǎn)做準(zhǔn)備，但去年9月撤走了員工。

全球經(jīng)濟(jì)衰退、半導(dǎo)體市場惡化、通貨膨脹以及美國半導(dǎo)體補(bǔ)貼等多種因素共同導(dǎo)致了這一局面，但決定性因素是難以獲得代工客戶。

三星最初計劃在泰勒工廠建設(shè)4納米工藝，但據(jù)報道，在與客戶的合作失敗后，該工藝發(fā)生了改變。

在獲得特斯拉的訂單后，不確定性得以解決。三星電子于7月與特斯拉簽署了一份價值22.8萬億韓元（約合196億美元）的代工合同。該合同要求三星電子在泰勒工廠生產(chǎn)特斯拉設(shè)計的人工智能（AI）芯片，并提供為期八年的供應(yīng)。在獲得客戶后，三星電子正準(zhǔn)備恢復(fù)泰勒工廠的運(yùn)營。

泰勒晶圓廠目前由一棟建筑組成，并配備一間潔凈室，這對于半導(dǎo)體生產(chǎn)至關(guān)重要。三星電子計劃從第一階段（即單潔凈室）開始建設(shè)一條2納米生產(chǎn)線。預(yù)計到明年年底，產(chǎn)能將達(dá)到每月16,000至17,000片12英寸晶圓。據(jù)市場研究公司Counterpoint Research的數(shù)據(jù)，每月可生產(chǎn)10,000片晶圓的2納米晶圓制造設(shè)備（WFE）的投資額高達(dá)17億美元，預(yù)計到明年年底，三星電子將投資約28.9億美元（約合4萬億韓元，以17,000片晶圓計算）。派遣的人員將

用于安裝設(shè)備并優(yōu)化工藝。設(shè)備安裝完成后，將使用測試晶圓來穩(wěn)定工藝。據(jù)專家介紹，3納米工藝的工藝穩(wěn)定期約為10個月，而2納米工藝的穩(wěn)定期將長約一個月。泰勒工廠預(yù)計將于明年年底或 2027 年初開始量產(chǎn)。這意味著特斯拉的人工智能半導(dǎo)體可能會在 2026 年底或 2027 年開始量產(chǎn)。

隨著泰勒代工廠 (Taylor Foundry) 的成立，三星電子預(yù)計將加快吸引大型科技公司進(jìn)入美國的步伐。該公司最初計劃建造兩座晶圓廠，每座晶圓廠配備兩間潔凈室，總計四間潔凈室。這四間潔凈室每月可生產(chǎn) 6 萬至 7 萬片 12 英寸晶圓的半導(dǎo)體。為了拓展泰勒代工廠的業(yè)務(wù)，該公司預(yù)計將加強(qiáng)針對英偉達(dá)、蘋果、高通和 AMD 等公司的銷售力度。

2nm，激烈競爭

今年下半年，全球爭奪下一代2納米半導(dǎo)體市場領(lǐng)導(dǎo)地位的競爭將愈演愈烈，領(lǐng)先的晶圓代工廠臺積電和三星電子正準(zhǔn)備開始量產(chǎn)。與此同時，英特爾正尋求利用更先進(jìn)的1.8納米工藝超越競爭對手，重振其陷入困境的晶圓代工業(yè)務(wù)。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士周日透露，臺積電已經(jīng)開始接到客戶關(guān)于其 2nm 工藝節(jié)點的訂單，預(yù)計將于今年下半年在其位于臺灣寶山和高雄的晶圓廠投產(chǎn)。

臺積電首次在其2納米芯片中采用環(huán)柵晶體管架構(gòu)，標(biāo)志著一項重大的技術(shù)轉(zhuǎn)變。與目前的3納米工藝相比，新節(jié)點預(yù)計將提供10%至15%的性能提升、25%至30%的功耗降低以及15%的晶體管密度提升。

晶圓代工市場第二大廠商三星電子也計劃在 2025 年下半年開始生產(chǎn) 2nm 芯片。

三星在最新的1-3月財報中確認(rèn)，將在年內(nèi)開始量產(chǎn)采用2nm工藝節(jié)點的移動芯片。

雖然該公司沒有具體說明這款產(chǎn)品是什么，但人們普遍預(yù)計它將是 Exynos 2600，這是即將推出的旗艦 Galaxy S26 系列應(yīng)用處理器芯片，計劃于 2026 年初發(fā)布。

三星是業(yè)界首家在其早期 3nm 節(jié)點工藝中采用先進(jìn) GAA 架構(gòu)的芯片制造商，但在初期階段，該公司面臨著良率低的問題。憑借其在尖端架構(gòu)方面積累的經(jīng)驗，該公司目前的目標(biāo)是提高 2nm 工藝的制造穩(wěn)定性和產(chǎn)量。

臺積電目前在全球晶圓代工市場占據(jù)主導(dǎo)地位，今年第一季度的市場份額達(dá)到67.6%，目前看來，該公司的業(yè)績似乎已步入正軌。消息人士稱，該公司的良率已超過60%，已跨過穩(wěn)定量產(chǎn)的門檻。

三星的市場份額為 7.7%，其任務(wù)是提高其成品率，據(jù)報道，目前成品率約為 40%。

在激烈的競爭中，2nm節(jié)點的前景樂觀，預(yù)計需求將超過上一代3nm。

臺積電董事長魏哲家在最近的財報電話會議上表示，在智能手機(jī)和高性能計算應(yīng)用的推動下，2nm 的需求已經(jīng)超過 3nm。

魏哲家表示：“我們預(yù)計，頭兩年 2nm 技術(shù)的新流片數(shù)量將超過 3nm，甚至 5nm 或 4nm?！彼麖?qiáng)調(diào)，主要客戶對此表現(xiàn)出濃厚興趣。

市場調(diào)研公司Counterpoint Research也認(rèn)同這一預(yù)測，預(yù)計臺積電將在今年第四季度實現(xiàn)2納米產(chǎn)能的滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，比以往任何節(jié)點都要快。預(yù)計主要客戶將包括蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、AMD，甚至英特爾。

三星面臨的挑戰(zhàn)是如何吸引頂級科技客戶，以在先進(jìn)節(jié)點市場保持競爭力。為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，這家芯片制造商最近聘請了臺積電前高管瑪格麗特·韓（Margaret Han）領(lǐng)導(dǎo)其在三星設(shè)備解決方案美洲公司的美國代工業(yè)務(wù)。

與此同時，美國芯片巨頭英特爾正押注其 1.8nm 工藝（品牌為 18A），以在代工市場重新確立自己的地位。

在最近的一次 Direct Connect 活動中，英特爾代工服務(wù)總經(jīng)理 Kevin O'Buckley 承認(rèn)公司已經(jīng)落后于計劃。他說：“我非常直接地承認(rèn)，我們沒有完成 18A 計劃的所有任務(wù)?！辈贿^，他強(qiáng)調(diào)，18A 目前有望在 2025 年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)，英特爾相信它很快就能準(zhǔn)備好在先進(jìn)節(jié)點挑戰(zhàn)臺積電和三星。

Rapidus 在過去幾個月中大受歡迎，主要是因為該公司是日本領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司。NVIDIA 也表達(dá)了興趣。該公司正在準(zhǔn)備其尖端的 2nm 節(jié)點，名為“2HP”。根據(jù)分享的信息，2HP 的邏輯密度將與臺積電的 N2 相近，更重要的是，它將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過英特爾的 18A。這表明 Rapidus 的節(jié)點可能成為目前最具競爭力的工藝之一，并成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個未知領(lǐng)域。

共享的信息顯示，Rapidus 2HP 的邏輯密度將達(dá)到 237.31 MTr/mm2，與臺積電的 N2 相當(dāng)，后者目前據(jù)稱的密度為 236.17 MTr/mm2。該用戶還分享了達(dá)到這一邏輯密度所需的單元庫，包括一個 HD（高密度）庫，單元高度為 138 個單元，間距為 G45。鑒于 N2 和 2HP 的密度相近，這表明這兩個節(jié)點都是 HD 類型的單元，旨在實現(xiàn)最大邏輯密度，并且最終解決方案發(fā)布后晶體管數(shù)量可能也相近。

盡管英特爾的節(jié)點尺寸相對較小，但該公司聲稱其 18A 的密度為 184.21 MTr/mm2，這主要是因為英特爾使用了 HD 庫對 18A 進(jìn)行基準(zhǔn)測試。但另一個值得關(guān)注的因素是，由于使用了 BSPDN，英特爾占用了部分正面金屬層，因此 HD 庫測量中的密度值有所下降。由于英特爾專注于性能/功耗指標(biāo)，因此更高的密度并非該公司的最終目標(biāo)，尤其是在 18A 主要用于內(nèi)部使用的情況下。

現(xiàn)在，Rapidus 的 2HP 密度數(shù)據(jù)無疑表明該公司正在半導(dǎo)體行業(yè)邁出重大一步。更重要的是，這家日本公司采用了單晶圓前端工藝，這是一種獨(dú)一無二的實施方案，專注于對有限的產(chǎn)量進(jìn)行調(diào)整，然后擴(kuò)大改進(jìn)規(guī)模以獲得更好的最終結(jié)果。該公司的 2nm PDK 將于2026 年第一季度向客戶提供，根據(jù)初步信息，該節(jié)點前景看好。

參考鏈接

https://www.etnews.com/20250829000103

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

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