來源網(wǎng)絡(luò)這是一份半導(dǎo)體行業(yè)常見術(shù)語縮寫的總結(jié)，涵蓋了從制造、設(shè)計(jì)、封裝到設(shè)備、材料等各個(gè)環(huán)節(jié)。請(qǐng)注意，部分縮寫可能有多個(gè)含義，具體需根據(jù)上下文判斷。
"一、 設(shè)計(jì)與驗(yàn)證 (Design & Verification)"
1. "ASIC": Application-Specific Integrated Circuit (專用集成電路) - 為特定應(yīng)用設(shè)計(jì)的復(fù)雜集成電路。
2. "ASSP": Application-Specific Standard Product (專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品) - 功能相對(duì)固定、面向特定應(yīng)用的集成電路，介于通用邏輯和ASIC之間。
3. "LSI": Large-Scale Integration (大規(guī)模集成) - 集成數(shù)十到數(shù)千個(gè)晶體管的集成電路。
4. "VLSI": Very Large-Scale Integration (超大規(guī)模集成) - 集成數(shù)千到數(shù)百萬個(gè)晶體管的集成電路，現(xiàn)代芯片通常屬于此類。
5. "ULSI": Ultra Large-Scale Integration (超超大規(guī)模集成) - 集成數(shù)百萬個(gè)以上晶體管的集成電路。
6. "ASIC Design": ASIC設(shè)計(jì) - 設(shè)計(jì)專用集成電路的過程。
7. "FPGA": Field-Programmable Gate Array (現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列) - 可以在出廠后由用戶自行編程的集成電路，用于原型驗(yàn)證、快速定制等。
8. "ASIC Fabrication": ASIC制造 - 指將設(shè)計(jì)好的ASIC芯片通過半導(dǎo)體工藝制造出來的過程（通常外包給Foundry）。
9.
相關(guān)內(nèi)容：
作為半導(dǎo)體行業(yè)新人來說，最痛苦的莫過于各種縮寫詞術(shù)語了，有的縮寫詞一樣但是會(huì)有不同的解釋。這里作者給大家整理了部分術(shù)語詞典，后面會(huì)按照更新順序一一分享出來。
廢話不多說，直接開始，如有遺漏，歡迎大家在評(píng)論區(qū)或者私信補(bǔ)充，作者會(huì)在后面單開一篇來補(bǔ)充：
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M-開頭縮寫
縮寫 | 英文全稱 | 中文解釋 | 技術(shù)說明/原文出處 |
M0 | Metal 0 | 第零層金屬 | 最底層鎢互連（晶體管接觸層） |
M1 | Metal 1 | 第一層金屬 | 互連基礎(chǔ)布線層 |
MAGLEV TMP | Magnetic Levitation Turbo Molecular Pump | 磁懸浮渦輪分子泵 | 無接觸軸承，真空度5×10?? Torr（設(shè)備子系統(tǒng)） |
MBE | Molecular Beam Epitaxy | 分子束外延 | 量子點(diǎn)原子層生長(zhǎng)（-269°C） |
MCM | Multi-Chip Module | 多芯片模組 | GPU/HBM并排封裝（先進(jìn)封裝章） |
MES | Manufacturing Execution System | 制造執(zhí)行系統(tǒng) | 晶圓廠生產(chǎn)調(diào)度核心（Fab管理章） |
MFC | Mass Flow Controller | 質(zhì)量流量控制器 | 工藝氣體流量控制±0.5%（設(shè)備章） |
MGD | Metal Gate Dummy | 金屬柵虛設(shè)層 | 消除CMP不均勻性（文檔第8節(jié)） |
MGG | Metal Gate Granularity | 金屬柵晶?？刂?/span> | 閾值電壓波動(dòng)源（3nm節(jié)點(diǎn)） |
MG | Metal Gate | 金屬柵 | 替代多晶硅柵（TiN/TaN材料） |
MGC | Metal Gate Cut | 金屬柵切割 | EUV多重曝光實(shí)現(xiàn)柵極隔離（光刻章） |
MGI | Metal Gate Induced | 金屬柵感應(yīng)效應(yīng) | 影響載流子遷移率（器件物理章） |
MIS | Metal-Insulator-Semiconductor | 金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 | MOSFET柵結(jié)構(gòu)基礎(chǔ) |
MISFET | Metal-Insulator-Semiconductor FET | 金屬-絕緣體-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 | 高壓器件應(yīng)用 |
MEMS | Micro-Electro-Mechanical System | 微機(jī)電系統(tǒng) | 加速度計(jì)/陀螺儀（特色工藝章） |
METROX | Metal-Oxide EUV Resist | 金屬氧化物EUV膠 | HfO?/SnO?納米簇（光刻膠章） |
MOCVD | Metal-Organic CVD | 金屬有機(jī)源化學(xué)氣相沉積 | GaN外延（TMGa+NH?） |
MOL | Middle-of-Line | 中線工藝 | 晶體管與互連過渡層（接觸孔/通孔） |
MONO 3D | Monolithic 3D Integration | 單片三維集成 | 納米線鍵合（<10nm間距） |
MOS | Metal-Oxide-Semiconductor | 金屬氧化物半導(dǎo)體 | 晶體管基礎(chǔ)結(jié)構(gòu) |
MOSFET | Metal-Oxide-Semiconductor FET | 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 | 核心開關(guān)器件 |
MO | Mistake Operation | 誤操作 | 設(shè)備人為操作錯(cuò)誤（Fab管理章） |
MPC | Model Predictive Control | 模型預(yù)測(cè)控制 | 優(yōu)化CMP參數(shù)（控制章） |
MPM | Multi-Patterning Module | 多重圖形化模塊 | SADP/SAQP技術(shù) |
MPW | Multi-Project Wafer | 多項(xiàng)目晶圓 | 共享掩模成本 |
MPSP | Multi-Patterning Splitting Process | 多重圖形拆分工藝 | <3nm節(jié)點(diǎn)圖形化 |
MRAM | Magnetoresistive RAM | 磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器 | 自旋電子存儲(chǔ) |
MTJ | Magnetic Tunnel Junction | 磁性隧道結(jié) | STT-MRAM核心（TMR>200%） |
MTTF | Mean Time To Failure | 平均失效時(shí)間 | 可靠性核心指標(biāo) |
MUR | Metal Underlayer Resist | 金屬底層光刻膠 | 提升EUV吸收率 |
MVM | Matrix-Vector Multiplication | 矩陣向量乘法 | AI加速器核心 |
MYLAR | Polyester Film Substrate | 聚酯薄膜基板 | 柔性電子封裝 |
μ-TSV | Micro Through-Silicon Via | 微硅通孔 | 直徑<5μm（3D集成章） |
μc-Si | Microcrystalline Silicon | 微晶硅 | 薄膜晶體管溝道材料 |
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N-開頭縮寫
縮寫 | 英文全稱 | 中文解釋 | 技術(shù)說明/應(yīng)用領(lǐng)域 |
NA | Numerical Aperture | 數(shù)值孔徑 | 光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)關(guān)鍵指標(biāo)，High-NA EUV（NA=0.55）可實(shí)現(xiàn)更高分辨率 |
NAND | Not AND | 與非門（閃存） | 閃存存儲(chǔ)器架構(gòu)，如3D NAND，通過高深寬比刻蝕（HAR Etch）堆疊層數(shù) |
NBTI | Negative Bias Temperature Instability | 負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性 | PMOS器件可靠性問題，柵極負(fù)偏壓和高溫下導(dǎo)致閾值電壓漂移 |
NCL | No Clean Flux | 免清洗助焊劑 | 先進(jìn)封裝工藝中使用，減少后續(xù)清洗步驟，提高良率 |
NDD | Non-Destructive Detection | 無損檢測(cè) | 用于晶圓缺陷檢查，避免損傷樣品，如X射線衍射（XRD） |
NEP | Noise Equivalent Power | 噪聲等效功率 | 光學(xué)或電子檢測(cè)器的靈敏度指標(biāo)，值越低靈敏度越高 |
NF? | Nitrogen Trifluoride | 三氟化氮 | 腔室清洗氣體，在等離子體環(huán)境中分解產(chǎn)生氟自由基以清潔沉積物 |
NGL | Next-Generation Lithography | 下一代光刻技術(shù) | 泛指EUV之后的光刻技術(shù)，如納米壓?。∟IL）、電子束光刻等 |
NIL | Nanoimprint Lithography | 納米壓印光刻 | 通過物理壓印轉(zhuǎn)移圖形，分辨率高（可達(dá)5nm），成本相對(duì)EUV較低 |
NMP | N-Methyl-2-Pyrrolidone | N-甲基-2-吡咯烷酮 | 一種光刻膠剝離劑和清洗溶劑，也可用于剝離臨時(shí)鍵合膠 |
NMOS | N-channel MOSFET | N溝道MOSFET | 由電子作為載流子的MOSFET，源漏通常注入As（砷）或P（磷） |
NVM | Non-Volatile Memory | 非易失性存儲(chǔ)器 | 斷電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器，如Flash（閃存）、RRAM、MRAM等 |
NW | Nanowire | 納米線 | GAA（全環(huán)繞柵極）晶體管中的溝道結(jié)構(gòu)，用于3nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn) |
N? | Nitrogen | 氮?dú)?/span> | 晶圓廠廣泛使用的惰性保護(hù)氣體，用于 purge（吹掃）和創(chuàng)造無氧環(huán)境 |
N?O | Nitrous Oxide | 氧化亞氮 | 一種氧化性工藝氣體，可用于熱氧化或CVD沉積過程 |
N?/H? | Forming Gas | 合成氣（氮?dú)浠旌蠚猓?/span> | 通常為97% N? + 3% H?，用于退火工藝中的還原性氛圍，防止氧化 |
N+ | N-type Heavy Doping | N型重?fù)诫s | 指高濃度的N型摻雜區(qū)域，如NMOS的源漏（Source/Drain）區(qū) |
N-Well | N-Type Well | N型阱 | 在P型襯底上形成的N型摻雜區(qū)域，用于容納PMOS晶體管 |
N-P Junction | N-P Junction | N-P結(jié) | 半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)，是二極管、晶體管工作的基礎(chǔ) |
N-Type Si | N-Type Silicon | N型硅 | 摻入V族元素（如P、As）的硅，多數(shù)載流子為電子 |
原創(chuàng)聲明： 本文綜合公開資料梳理，轉(zhuǎn)載需授權(quán)。
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