我們來評測一下這款面向游戲入門用戶的閃戰(zhàn)S620M固態(tài)硬盤。這款產品通常定位為性價比較高的入門級NVMe SSD，旨在為游戲玩家提供比傳統(tǒng)機械硬盤快得多的加載速度，同時價格相對親民。
"閃戰(zhàn)S620M 固態(tài)硬盤評測"
"1. 定位與目標用戶"
"定位:" 入門級高性能NVMe SSD。 "目標用戶:" 對價格敏感，但希望顯著提升電腦（尤其是游戲）加載速度的普通用戶、學生、游戲玩家。作為新電腦的入門級主驅動器或用于安裝常用程序和游戲的驅動器。
"2. 核心規(guī)格與特點"
"接口:" NVMe M.2 2280 (這是目前主流接口，兼容性好)。 "主控:" 通常采用群聯Phison或慧榮Silicon Motion等主流入門級主控方案。這些主控在性能和成本之間取得了較好的平衡。 "閃存:" 通常采用SLC緩存 + TLC主存的組合，或者純TLC閃存。TLC NAND是主流選擇，提供了不錯的性能、壽命和成本效益。 "通道:" 通常是單通道（SATA通道級別，但在NVMe協議下工作），這決定了其理論帶寬上限。對于入門級需求通常足夠。 "緩存:" 可能配備DRAM緩存，以提高隨機讀寫

相關閱讀延伸：游戲入門首選 閃戰(zhàn)S620M固態(tài)硬盤評測

近年來，隨著中國戰(zhàn)隊，在全球最為熱門的電競游戲《英雄聯盟》中連續(xù)兩年勇奪全球總冠軍，蓄勢待發(fā)的中國電競市場瞬間被點燃。在電競市場點燃的同時，和電競相伴相生的電腦硬件行業(yè)更是呈現出新的發(fā)展趨勢，電競化成為了各大硬件大廠的發(fā)展新趨向。

Flash War 閃戰(zhàn)

以“打造國產存儲優(yōu)質品牌”為目標的新興硬件廠商Flash War 閃戰(zhàn)，更是乘著電競的東風，研發(fā)出多款針對電競玩家定制的固態(tài)硬盤產品。

近日，筆者也收到了Flash War 閃戰(zhàn)最新研發(fā)的S620M固態(tài)硬盤，根據產品定位，這是一款針對游戲玩家研發(fā)的M.2接口的固態(tài)硬盤產品。那么，這樣一款定位于游戲玩家的固態(tài)硬盤產品的性能究竟如何？它的做工和核心元件都有哪些獨特之處？下面，就和筆者一起來看。

01 產品解析：單片PCB設計+慧榮SM2258XT主控

在評測之前，我們先進行產品內外解析。

閃戰(zhàn)S620M從外觀上看，這是一款標準的M.2接口產品，主體上采用單片PCB板設計，根據官方提供的數據，產品主體的具體尺寸80(L)mm*22(W)mm*3.7(H)mm，相較于普通的SATA接口固態(tài)硬盤，在尺寸設計上還是十分符合當下產品設計思路，極簡、實用。

單片PCB設計

具體到用料方面，主體部分，主要由裸露在外的主控芯片以及覆蓋有閃戰(zhàn)品牌貼紙的閃存顆粒兩大部分組成。

主控芯片+閃存顆粒兩大部分

在主控上，選用了慧榮SM2258XT主控，作為經典的慧榮SM2258的升級款，支持NANDXtend ECC技術，全面支持2D/3D TLC閃存的成品解決方案，在性能上，最大持續(xù)讀寫速率分別可以達到560MB/s和520MB/s，4K隨機讀寫分別可以達到90000IOPS和80000IOPS；

慧榮SM2258XT主控

同時基于NANDXtend ECC技術，它能夠提供RAID數據恢復、軟件解碼和硬件解碼，三級的錯誤校正可以將NAND閃存的壽命延長3倍，另外還可以顯著提升解碼效率，提速達40%，也顯著的降低的產品的能耗。

intel原廠3D TLC閃存顆粒

總容量512GB

在閃存顆粒上，采用了編號為29f01t2ancth2四顆閃存顆粒，根據編號規(guī)則和設計，這四顆閃存顆粒來自intel原廠3D TLC閃存顆粒，單die容量128GB，共四顆，總容量到達512GB。

支持SATA協議

最后，略顯可惜的是，此款閃戰(zhàn)S620M并不支持NVMe協議，無法串聯PCIe接口。

02 基準測試：超過550MB/S，滿足游戲玩家需求

看完內外解析后，下面我們將通過CrystalDiskMark進行基準的連續(xù)讀寫測試，AS SSD進行4K性能測試，ATTO進行實際讀寫性能測試，以及最后通過PC Mark8進行硬盤帶寬性能測試。

性能測試

CrystalDiskMark連續(xù)讀寫測試

CrystalDiskMark是一款簡單易用的硬盤性能測試軟件，但測試項目非常全面，涵蓋連續(xù)讀寫、512K和4KB數據包隨機讀寫性能，以及隊列深度（Queue Depth）為32的情況下的4K隨機性能。隊列深度描述的是硬盤能夠同時激活的最大IO值，隊列深度越大，實際性能也會越高。

CrystalDiskMark測試

通過測試，我們可以看到在連續(xù)讀寫性能測試中，此款閃戰(zhàn)S620M表現還是十分出眾的，接近560MB/S的讀取性能，幾乎可以稱得上SATA協議下最強的表現之一了，這對于游戲玩家的大數據吞吐有著十分重要的意義。

4K性能測試

4k性能的高低，決定了產品在日常復雜的應用場景中的實際體驗，在一定程度上更能反映出產品的實際性能，我們一般使用AS SSD Benchmak進行測試。

AS SSD Benchmark是一個專門為SSD測試而設計的標準檢測程序，它涵蓋了持續(xù)性讀寫、單線程4KB隨機讀寫、64線程4KB隨機讀寫以及磁盤尋道時間等關鍵數據的測試，最后還會根據公式將成績標準化，能比較科學的反映固態(tài)硬盤的真實性能。

AS SSD Benchmark

在AS SSD Benchmark測試中，47K和66K iops的成績，也稱得上是主流SATA協議固態(tài)硬盤成績了。這樣的表現對于游戲玩家，處理細碎文件，多頻操作等任務有著相當的性能提升。

ATTO模擬日常性能測試

在ATTO測試中， 由于測試衡量維度數據變成實際應用文檔類文件的大小，所以測試成績更符合我們日常的使用場景，測試成績也就比較有參考意義。

ATTO測試

在ATTO測試中，我們可以看到此款閃戰(zhàn)S620M始終保持在較高的讀寫成績，510MB/S的寫入以及560MB/S左右的讀取，也再次印證了此前連續(xù)讀寫性能測試的數據，這樣的成績性能能夠滿足玩家日常對于硬盤吞吐能力的需求。

03 綜合性能測試：4926總分堪比一線產品

在綜合性能測試上，我們采用老牌測試軟件pc mark8進行測試。

PCMark8內置了多個測試項目，其中Storage測試項目針對硬盤性能做出評定，包括兩款游戲以及各種辦公應用測試。分別為《魔獸世界》和《戰(zhàn)地3》的游戲載入測試，Photoshop，Adobe InDesign，Adobe After Effects，Adobe lllustrator，微軟Office Word、Office Excel以及Office PowerPoint等十項測試。

這些應用和軟件能夠很好的模擬用戶實際的使用情況，從而綜合分析出此款固態(tài)硬盤的最終成績。

PCMark8測試

在經過接近兩個小時的測試后，我們可以看到此款閃戰(zhàn)S620M的綜合性能，4926的得分可以躋身SATA固態(tài)硬盤的準一線地位，同時在包含游戲/Photoshop等模擬測試中，這款固態(tài)硬盤的表現也相當OK，綜合性能表現還是十分不錯的。

04 總結：亮點頻頻的國產新興品牌

作為一款國產的固態(tài)硬盤，閃戰(zhàn)S620M無論是在單項的讀寫測試還是綜合的性能表現上，都是有著相當亮點的。

超過550MB/S的讀取，以及520MB/S的寫入，基本能夠滿足大部分用戶對于硬盤性能的需求。在4K表現以及綜合性能上，更是憑借著相當的性能跑分，可以滿足包含游戲玩家在內的多元用戶的綜合需求。

而這些亮眼性能的背后，來自慧榮的主控芯片以及intel原廠3D TLC顆粒無疑是十分重要的，它們的經典組合，以及來自閃戰(zhàn)品牌的性能調試和合理設計，使得閃戰(zhàn)S620M固態(tài)硬盤必將能夠在愈演愈烈的電競硬件浪潮中，保有相當的競爭力。