來源網(wǎng)絡(luò)以下是一些半導(dǎo)體行業(yè)常用的術(shù)語縮寫及其含義：
1. "IC" - Integrated Circuit，集成電路
2. "DRAM" - Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
3. "SRAM" - Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
4. "NAND" - NAND Flash，NAND型閃存
5. "Flash" - Flash Memory，閃存
6. "CMOS" - Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體
7. "CPU" - Central Processing Unit，中央處理器
8. "GPU" - Graphics Processing Unit，圖形處理器
9. "FPGA" - Field-Programmable Gate Array，現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列
10. "ASIC" - Application-Specific Integrated Circuit，專用集成電路
11. "EDA" - Electronic Design Automation，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
12. "TSMC" - Taiwan Semiconductor Manufacturing Company，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司
13. "UMC" - United Microelectronics Corporation，聯(lián)華電子
14. "SMIC" - Semiconductor Manufacturing International Corporation，中芯國(guó)際
15. "SOI" - Silicon On Insulator，絕緣體上硅
16. "FinFET" - Fin Field-Effect Transistor，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管
17. "3D NAND" - Three-dimensional NAND，三維NAND閃存
18. "MEMS" -
相關(guān)內(nèi)容：
作為半導(dǎo)體行業(yè)新人來說，最痛苦的莫過于各種縮寫詞術(shù)語了，有的縮寫詞一樣但是會(huì)有不同的解釋。這里作者給大家整理了部分術(shù)語詞典，后面會(huì)按照更新順序一一分享出來。
廢話不多說，直接開始，如有遺漏，歡迎大家在評(píng)論區(qū)或者私信補(bǔ)充，作者會(huì)在后面單開一篇來補(bǔ)充：
06—
F-開頭縮寫
| 縮寫 | 英文全稱 | 中文解釋 | 技術(shù)說明 |
FA | Failure Analysis | 失效分析 | FIB切片定位缺陷，分辨率±5nm，定位時(shí)間<2小時(shí) |
FAB | Fabrication | 晶圓制造 | 全流程生產(chǎn)（光刻/刻蝕/沉積），潔凈度Class 1 |
FDC | Fault Detection and Classification | 故障檢測(cè)與分類 | AI分析等離子體光譜，預(yù)測(cè)設(shè)備異常（提前>4小時(shí)） |
FD-SOI | Fully Depleted SOI | 全耗盡絕緣體上硅 | 超薄硅層（<10nm），漏電流降低100倍，用于低功耗芯片 |
FEM | Focus Energy Matrix | 焦距能量矩陣 | 光刻窗口優(yōu)化方法（曝光能量/焦距組合） |
FEOL | Front End Of Line | 前道工藝 | 晶體管制造（柵極/源漏），包含離子注入/退火 |
FFT | Fast Fourier Transform | 快速傅里葉變換 | 信號(hào)處理核心算法（用于EBI缺陷識(shí)別） |
FG | Floating Gate | 浮柵 | 閃存存儲(chǔ)單元核心結(jié)構(gòu)，電子保持時(shí)間>10年 |
FIB | Focused Ion Beam | 聚焦離子束 | 納米級(jí)切割/成像（精度±2nm），用于電路編輯和失效分析 |
FIFO | First In First Out | 先進(jìn)先出 | 晶圓隊(duì)列管理策略，減少Q(mào)-time超限風(fēng)險(xiǎn) |
FinFET | Fin Field-Effect Transistor | 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 | 3D溝道結(jié)構(gòu)（鰭片），22nm-5nm節(jié)點(diǎn)主流技術(shù)，抑制短溝道效應(yīng) |
FLASH | Flash Memory | 閃存 | NAND/ NOR架構(gòu)，3D NAND堆疊層數(shù)>200 |
FM | Ferroelectric Memory | 鐵電存儲(chǔ)器 | 極化翻轉(zhuǎn)速度<1ns，耐久性>101?次 |
FMEA | Failure Mode and Effects Analysis | 失效模式與影響分析 | 工藝風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估工具（如等離子體不穩(wěn)定導(dǎo)致刻蝕不均） |
FN | Fowler-Nordheim | 福勒-諾德海姆隧穿 | 電子隧穿柵氧層機(jī)制（用于EEPROM編程） |
FOUP | Front-Opening Unified Pod | 前開式晶圓傳送盒 | Class 1潔凈度容器，存儲(chǔ)/傳送300mm晶圓 |
FOWLP | Fan-Out Wafer Level Packaging | 扇出型晶圓級(jí)封裝 | 芯片嵌入環(huán)氧樹脂→RDL布線→植球，I/O密度>500/mm2 |
FPD | Flat Panel Display | 平板顯示 | LTPS背板工藝，遷移率>100cm2/V·s |
FPY | First Pass Yield | 首次通過良率 | 晶圓流片首次測(cè)試良率，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)目標(biāo)>95% |
FRAM | Ferroelectric RAM | 鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器 | 同F(xiàn)M，讀寫能耗<1pJ/bit |
FSA | Full Sheet Annealing | 整片退火 | 快速熱退火（RTA）變體，溫度均勻性±1℃@1100℃ |
FSI | Full Slice Imaging | 全切片成像 | 3D芯片無損檢測(cè)（分辨率<200nm） |
FSM | Finite State Machine | 有限狀態(tài)機(jī) | 設(shè)備控制系統(tǒng)核心邏輯（如光刻機(jī)順序控制） |
FSP | Fused Silica Plate | 熔融石英板 | 光刻掩?；?，熱膨脹系數(shù)<0.01ppm/℃ |
FT | Final Test | 成品測(cè)試 | 芯片封裝后電性測(cè)試，覆蓋率>99% |
FTIR | Fourier Transform Infrared Spectroscopy | 傅里葉變換紅外光譜 | 分析薄膜成分（如SiO?中OH基含量），精度±0.1% |
FTS | Fast Thermal Spike | 快速熱尖峰退火 | 毫秒級(jí)退火（>1300℃），激活摻雜原子并抑制擴(kuò)散 |
FVM | Free Volume Model | 自由體積模型 | 預(yù)測(cè)Low-k材料機(jī)械強(qiáng)度（與孔隙率關(guān)聯(lián)） |
FWHM | Full Width at Half Maximum | 半高寬 | 光譜/峰形分析參數(shù)（如離子注入能量分布） |
FZ | Float Zone | 懸浮區(qū)熔法 | 超高純單晶硅制備（雜質(zhì)<0.1ppb），用于功率器件 |
FBE | Fixed Beam Exposure | 固定束曝光 | 電子束光刻模式，吞吐量>5片/天 |
FIC | Film Integrated Circuit | 薄膜集成電路 | 柔性電子工藝，基底厚度<10μm |
FKM | Fluoroelastomer | 氟橡膠 | 真空密封材料，耐等離子體腐蝕>1000小時(shí) |
FL | Field Layer | 場(chǎng)區(qū)層 | LOCOS隔離技術(shù)核心，厚度>500nm |
FLA | Flash Lamp Annealing | 閃光燈退火 | 毫秒級(jí)熱處理（>1000℃），消除離子注入損傷 |
FMEA | Failure Mode and Effects Analysis | 失效模式與影響分析 | 工藝風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估工具（如等離子體不穩(wěn)定導(dǎo)致刻蝕不均） |
FOM | Figure of Merit | 品質(zhì)因數(shù) | 器件綜合指標(biāo)（如功率放大器PAE>60%） |
FPD | Flat Panel Display | 平板顯示 | LTPS背板工藝，遷移率>100cm2/V·s |
FQC | Final Quality Control | 最終質(zhì)量控制 | 出貨前全檢（包含EL測(cè)試/外觀檢查） |
FRS | Free Reticle Storage | 掩模版自由存儲(chǔ)系統(tǒng) | AMHS子系統(tǒng)，存儲(chǔ)容量>5000片，取放時(shí)間<30秒 |
FSE | Fast Secondary Electron | 快速二次電子 | SEM成像模式，表面敏感性高 |
FSP | Focused Spot Profiler | 聚焦點(diǎn)輪廓儀 | 測(cè)量光刻機(jī)焦平面，精度±0.01μm |
FST | Film Stress Test | 薄膜應(yīng)力測(cè)試 | 晶圓曲率法測(cè)量應(yīng)力，精度±10MPa |
FSW | Front Side Wafer | 正面晶圓 | 器件制造面（與背面工藝BSW區(qū)分） |
FTIR | Fourier Transform Infrared Spectroscopy | 傅里葉變換紅外光譜 | 分析薄膜成分（如SiO?中OH基含量），精度±0.1% |
FVM | Free Volume Model | 自由體積模型 | 預(yù)測(cè)Low-k材料機(jī)械強(qiáng)度（與孔隙率關(guān)聯(lián)） |
| 縮寫 | 英文全稱 | 中文解釋 | 技術(shù)說明 |
| GAA | Gate-All-Around | 全環(huán)繞柵極 | 納米線/納米片溝道（Nanosheet），取代FinFET，用于3nm及以下節(jié)點(diǎn) |
| GaAs | Gallium Arsenide | 砷化鎵 | 高頻材料（電子遷移率>5000 cm2/V·s），用于5G射頻芯片 |
| GaN | Gallium Nitride | 氮化鎵 | 寬禁帶半導(dǎo)體（3.4eV），耐壓>650V，用于快充/5G基站 |
| GBD | Grain Boundary Defect | 晶界缺陷 | 多晶硅柵極關(guān)鍵問題，導(dǎo)致漏電增加，需退火優(yōu)化 |
| GCI | Gas Cluster Ion | 氣體團(tuán)簇離子 | 表面平坦化技術(shù)，團(tuán)簇尺寸>1000原子，粗糙度<0.2nm |
| GDS | Gas Delivery System | 氣體輸送系統(tǒng) | VMB（氣體閥箱）核心，流量精度±0.5% sccm |
| Ge | Germanium | 鍺 | 高遷移率溝道材料（空穴遷移率>1900 cm2/V·s），用于PMOS優(yōu)化 |
| GEM | Generic Equipment Model | 通用設(shè)備模型 | SECS/GEM協(xié)議實(shí)現(xiàn)設(shè)備自動(dòng)化控制 |
| GIDL | Gate-Induced Drain Leakage | 柵致漏極泄漏 | 高電場(chǎng)下柵漏重疊區(qū)載流子隧穿，導(dǎo)致待機(jī)電流增加 |
| GIXRD | Grazing Incidence X-ray Diffraction | 掠入射X射線衍射 | 超薄膜分析（厚度<5nm），分辨率0.01nm |
| GLS | Gate Last Structure | 后柵極結(jié)構(gòu) | High-k金屬柵集成工藝，減少熱預(yù)算 |
| GM | Gain Margin | 增益裕度 | 工藝控制穩(wěn)定性指標(biāo)（如CMP壓力反饋系統(tǒng)） |
| GMR | Giant Magneto Resistance | 巨磁阻 | 磁阻變化率>100%，用于高靈敏度磁傳感器 |
| GOI | Gate Oxide Integrity | 柵氧完整性 | TDDB測(cè)試關(guān)鍵參數(shù)，失效電場(chǎng)>15MV/cm |
| GPC | Gas Phase Cleaning | 氣相清洗 | HF/IPA混合蒸汽清洗，替代濕法工藝 |
| GPM | Giga Patterning Machine | 千兆級(jí)圖形化設(shè)備 | 多電子束直寫系統(tǒng)，吞吐量>10片/小時(shí)（5nm節(jié)點(diǎn)） |
| GR | Gettering Region | 吸雜區(qū) | 晶圓背面摻磷/損傷層，捕獲金屬雜質(zhì)（效率>99%） |
| GS | Ground Shield | 接地屏蔽 | 射頻器件抗干擾設(shè)計(jì)，隔離度>60dB |
| GST | GeSbTe | 鍺銻碲相變材料 | 相變存儲(chǔ)器核心，電阻比>1000，編程速度<10ns |
| GTO | Gate Turn-Off Thyristor | 門極可關(guān)斷晶閘管 | 功率器件，關(guān)斷時(shí)間<2μs，耐壓>6kV |
| GUI | Graphical User Interface | 圖形用戶界面 | 設(shè)備操作軟件交互系統(tǒng) |
| GVM | Gas Vapor Mixture | 氣體蒸汽混合 | 超臨界清洗技術(shù)（如CO?/H?O），去除納米級(jí)污染物 |
| GW | Global Wafer | 環(huán)球晶圓 | 硅片供應(yīng)商品牌（300mm晶圓市占率>15%） |
| GZO | Gallium Zinc Oxide | 鎵鋅氧化物 | 透明導(dǎo)電薄膜，電阻率<10?3 Ω·cm，用于顯示電極 |
| GAA-CFET | Gate-All-Around CFET | 全環(huán)繞互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)管 | NMOS/PMOS垂直集成，密度再提升2倍，1nm節(jié)點(diǎn)候選技術(shù) |
原創(chuàng)聲明： 本文綜合公開資料梳理，轉(zhuǎn)載需授權(quán)。
微信掃一掃打賞
支付寶掃一掃打賞
